До текущего момента ни одной исследовательской группе не удавалось разработать метод промышленного способа изготовления графенового полевого транзистора, при этом основной интерес у ученых вызывают их уникальные свойства - подвижность носителей у графенового транзистора значительно выше привычных сегодня кремниевых. И вот инженеры из компании IBM, работающие в исследовательском центре Уотсона (IBM T.J. Watson Research Center) сообщают об успехе - создан графеновый транзистор.
Основная сложность в использовании графена заключается в его особенности - отсутствию запрещенной зоны (строго говоря, валентная и зона проводимости перекрываются), а это в свою очередь препятствует возможности нахождения транзистора в двух состояниях - закрытом и открытом. Однако сотрудники IBM нашли оригинальный выход - ограничить электроны в очень узкой полоске материала, наноленте. При этом, благодаря квантово-размерному эффекту, и возникает столь необходимая запрещенная зона.
Интересен также и тот факт, что разработчики использовали широко известную сегодня технологию электронно-лучевой литографии для создания над поверхностью кремниевой пластины тончайшей наноленты, толщиной всего 20 нанометров. В будущем же разработчики планируют снизить толщину лент до нескольких нанометров, что приведет к увеличению ширины запрещенной зоны в такой структуре. При этом графеновый полевой транзистор работал только при очень низких температурах - таким образом, перед исследователями встает и задача создать транзистор, способный функционировать при комнатной температуре. Задачи, естественно, сложные, но по словам самих исследователей - решаемые даже на современном уровне развития науки и электронной промышленности.
