Чипы Elpida 512 Мб, 4,8 ГГц XDR DRAM (артикул EDX5116ADSE-5E-E) организованы по схеме с 8 «банками» (программируются режимы x16/x8/x4), обеспечиваемая ими скорость обмена, достигающая 9,6 Гбайт/с, шестикратно превышает пиковые возможности по предоставлению пропускной способности стандартной памяти DDR2-800. Микросхемы изготавливаются по 70-нм техпроцессу и упаковываются в 104-контактные FBGA-корпуса. Для сочетания высокой скорости и надежности передачи данных в чипах XDR DRAM используются патентованные разработки Rambus: дифференциальный уровень сигналов (Differential Rambus Signaling Level, DRSL), снижающий колебания сигнала и шум, технология передачи восьми бит информации за один такт (Octal Data Rate, ODR), технология калибровки таймингов и динамической подстройки рабочих токов и активных терминаторов линий шины FlexPhase. В чипах также применяются технологии адаптивного импеданса (adaptive impedance matching), динамическая обработка очереди запросов (dynamic request scheduling) и обновление состояния ячеек с нулевыми накладными расходами (zero overhead refresh).

Микросхемы XDR DRAM – неотъемлемая часть общей архитектуры XDR, предусматривающей совместную работу с контроллером памяти XDR (XDR Memory Controller, XMC), контроллером ввода-вывода (XDR IO controller interface cell, XIO), и тактовым генератором (XDR Clock Generator, XCG), сочетание чего обеспечивает возможность получения беспрецедентной пропускной способности при минимальном количестве чипов. Единственный чип XDR DRAM в режиме x16 характеризуется пропускной способностью 9,6 Гбайт/с, для достижения которой потребовалось бы шесть микросхем DDR2-800 x16. Начало отгрузок образцов EDX5116ADSE-5E-E запланировано на декабрь 2007 г., а развертывание массового производства ожидается в апреле 2008 г.

Автор:	www.3dnews.ru	Добавлена:	06 Октября 2007 г.	Yandex.ru
E-Mail автора:	Не указан	Прочитано:	183 раз(а)	Google.com