Компания Toshiba планирует начать массовое производство микросхем флэш-памяти с применением норм 30-нм технологического процесса, начиная с марта 2007 года, заявил во вторник 9 октября официальный представитель компании Хироко Мошида (Hiroko Mochida), сообщает информационное агентство Reuters.
Toshiba, занимающая второе место в мировом рейтинге производителей модулей флэш-памяти, наладит выпуск 30-нм чипов на фабрике Йоккаичи (Yokkaichi), расположенной в самом центре острова Хонсю, объявил Мошида. Сообщается, что 30-нм технологический процесс станет следующей ступенью модернизации производства на фабрики сразу после внедрения 43-нм норм, планируемого в марте 2008 года.
Напомним, что инициатива в развертывании 30-нм технологического процесса не принадлежит Toshiba. Ее главный конкурент, ведущий мировой производитель чипов NAND, корейская компания Samsung Electronics также намерена ввести в строй 32-нм производство модулей памяти к 2010 году в тесном сотрудничестве с американскими IBM и Freescale Semiconductor, германской Infineon Technologies AG и сингапурской Chartered Semiconductor.
Понимая трудности, которые ожидают компании-одиночки в любой гонке современных технологий, руководство компании Toshiba ведет переговоры с японскими корпорациями: Fujitsu Ltd и NEC Electronics Ltd, для объединения усилий в разработке современных чипов памяти и снижению затрат на их производство.
