Компания NEC Electronics сообщила о планах скорого начала серийного изготовления интегральных микросхем по новому технологическому процессу с проектной нормой в 40-нм. Как стало известно, выпуск продукции будет организован на фабрике NEC Yamagata, а изготовляться микрочипы будут из 300-мм кремниевых пластин, причем компания будет выпускать микросхемы с высокой степенью интеграции (LSI-микросхемы), специализированные микросхемы (ASIC), в том числе и с интегрированными микросхемами DRAM-памяти (eDRAM).
Отметим также, что NEC уже начала поставки первых экземпляров аналогичных интегральных микросхем, изготовленных по 55-нм техпроцессу, также произведенных на фабрике NEC Yamagata, а значит переход на более «тонкую» технологию изготовления должен осуществиться без особых трудностей.
Однако создание столь высоко интегрированных решений, как 40-нм микрочипы, невозможно без использования целого ряда инноваций, среди которых разработчики особо отмечают применение диэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k-диэлектрик). Что интересно, подобное решение использует и компания Intel при производстве своих новых 45-нм процессоров Penryn, а также создание управляющих затворов транзисторами из силицида кремния. Формула диэлектрика пока не раскрывается, но известно, что основой для него является гафний.
Планируется, что с конвейера каждый месяц будет сходить до 2000 кремниевых пластин со сформированной структурой 40-нм микросхем, в то время как объемы выпуска 55-нм продукции вдвое выше – 5000 кремниевых пластин/месяц. Всего же фабрика NEC Yamagata сохранит сегодняшние объемы выпуска интегральных микросхем – до 13000 в месяц – компания не будет останавливать выпуск 90-нм и даже 130-нм чипов.
