Компании Chartered, Freescale, IBM, Infineon и Samsung подписали соглашение о совместном сотрудничестве в области разработки технологии изготовления интегральных CMOS-микросхем по 32-нм техпроцессу. Результатом их деятельности в 2010 году должна стать готовая к серийному производству технология, а также необходимый инструментарий для создания чипов нового поколения.

Отметим, что соглашение о сотрудничестве можно рассматривать в качестве продления совместной деятельности всех сторон, которая уже привела к разработке технологии производства 90-нм, 65-нм и 45-нм микросхем.

Основными задачами, стоящими перед разработчиками являются:
- производство недорогих микросхем, которые смогли бы составить конкуренцию аналогичной продукции других чипмейкеров;
- использование новейших технологий, таких как металлический затвор транзистора и low-k-диэлектриков;
- внедрение в производство технологии иммерсионной фотолитографии для создания 32-нм микросхем;
- ряд других задач, направленных на повышение конкурентоспособности изделий, изготавливаемых по новой технологии.

Как стало известно, большая часть исследовательских работ будет осуществляться на предприятии IBM в East Fishkill (штат Нью-Йорк, США), занимающимся изготовлением микрочипов из 300-мм кремниевых пластин.