Компания Fairchild Semiconductor представила новую серию N-канальных полевых МОП-транзисторов (MOSFET), особенностью которых является защита от электростатического напряжения до 8 кВ. По данным производителя, это на 90% выше, чем у любого другого аналогичного прибора, доступного на рынке. Продукты серии FDS881XNZ предназначены для применения в схемах портативных батарей, используемых, например, в ноутбуках и сотовых телефонах.

В серию вошло несколько моделей, оптимизированных под конкретные приложения. Так, прибор FDS8812NZ предназначен для высокопроизводительных ноутбуков, отличающихся повышенным энергопотреблением, FDS8813NZ – для моделей, оснащаемых экранами более 15 дюймов по диагонали, а FDS8817NZ – для ноутбуков массового сегмента и субноутбуков.

Для внешнего оформления приборов серии FDS881XNZ был выбран стандартный корпус SO8. Ознакомительные образцы новинок уже доступны. Оптовые цены составляют 0,75, 1,06 и 1,18 доллара за штуку для моделей FDS8817NZ, FDS8813NZ и FDS8812NZ, соответственно.

Источник: Fairchild Semiconductor