IBM занялась технологией магнитной памяти STT-RAM -

IBM занялась технологией магнитной памяти STT-RAM

Компания IBM решила объединить свои усилия с японской TDK, чтобы совместными стараниями освоить коммерческое производство магнитной памяти, использующей характеристики направленности магнитного поля («спина») в качестве носителя информации о состоянии единичной ячейки. Этот тип памяти получил название STT-RAM (от spin torque transfer – передача спинового вращательного момента). Согласно текущим планам, партнеры планируют представить 65-нм действующие прототипы через четыре года. Возможно, к тому они уже не будут пионерами в этой области – по имеющейся информации, начинающая компания Grandis уже начала производить свои первые образцы STT-RAM и рассылать их потенциальным заказчикам, надеясь приступить к массовым поставкам к концу следующего года.

Ранее внимание IBM было привлечено другой технологией магнитной памяти, MRAM, но компания столкнулась со сложностями при попытках ее применения в рамках современных «тонких» техпроцессов. В настоящее время коммерческим выпуском MRAM занимается Freescale Semiconductor, однако представители самой компании признают, что вряд ли эта технология в силу физических ограничений сможет «переступить порог» 65 нм. Таким образом, наиболее перспективными среди альтернативных энергонезависимых технологий памяти остается STT-RAM и память с изменением фазового состояния вещества (phase change memory, PRAM). Объясняя свой интерес к сегменту, который сейчас не является источником доходов для компании, IBM говорит, что она желает обладать собственной технологией энергонезависимой памяти, без которой, например, уже не обходятся современные микросхемы класса «система-на-чипе» (SoC).

Автор:	www.3dnews.ru	Добавлена:	21 Августа 2007 г.	Yandex.ru
E-Mail автора:	Не указан	Прочитано:	174 раз(а)	Google.com